第3代半導體發功 特斯拉大量應用

更新時間: 2020/07/30 05:00

在電動車、混合動力汽車、電源供給器以及太陽能逆變器(Inverter)等需求的推動下,碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)功率半導體的市場將快速成長,預估明年可突破10億美元,2029年將超越50億美元。
碳化矽及氮化鎵同屬於寬能隙半導體的成員。在固態物理學中,能隙是指從半導體或絕緣體的價帶頂端到傳導帶底端的能量差距。
寬能隙半導體內部電阻非常低,製成的元件與同類矽元件比較,效率可提升70%。低電阻可讓半導體運作時的產生的熱量降低,達到更高的功率與密度,寬能隙半導體關斷時間極短,能夠在非常高的開關頻率下運作。

寬能隙低電阻 效率升70%

SiC、GaN 將進入快速發展

吳金榮

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