​成大開發出下世代光控記憶材料 體積更小、耗能更低

出版時間:2019/05/22 18:26

傳統記憶體只能儲存0與1,要提高記憶體密度,只能靠不斷縮小元件尺寸,成功大學研究團隊,歷經2年時間獲得重大突破,首創光學技術,結合多鐵性材料鐵酸鉍,可以儲存高達8種邏輯狀態(0到7),大幅縮小記憶體體積,並降低耗能,研究成果榮登國際頂尖期刊之一的《自然材料》(Nature Materials)。
 
這項研究計畫由成大學物理系助理教授楊展其(愛因斯坦計畫主持人)與同系教授陳宜君所帶領的研究團隊共同完成,也是科技部鼓勵年輕學者後的產出突破性的成果。
 
楊展其指出,傳統硬碟與記憶體的基礎單位為0與1組合,受於此限制,基礎記憶單元只能靠不斷縮小元件尺寸才能提高記憶體密度,要突破極限,只有尋找更強大多元的邏輯狀態記憶能力材料,以及全新的存取技術,研究團隊使用鐵酸鉍材料,突破「光撓效應」,利用「光」控制鐵酸鉍中的多位元記憶組態,只用光調控鐵酸鉍的記憶組態,可縮小記憶體體積,且不需複雜電路,在相同儲存量前提下,使用鐵酸鉍材料的記憶體,體積可小100倍。
 
不過,楊展其表示,雖然研究團隊在材料開發上已經跨出一大步,但鐵酸鉍材料距離商用還有很大長路要走,但為新世代記憶體開發帶來全新的思考方式,讓該材料可被直接導入如量子儲存,量子通訊等結合尖端光學技術的跨領域科技。(許敏溶/台北報導)

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