投資金額超過兆元 台系記憶體廠掀起擴產潮

更新時間: 2021/05/01 16:00
南亞科位於南林科學園區總部的外觀。楊喻斐攝

投資金額將超過上兆元!台系記憶體廠商掀起擴產潮,從華邦電(2344)開始,力積電(6770)也終於在今年3月底啟動,南亞科(2408)日前突如其然宣布要蓋12吋廠,另外,旺宏(2337)也透露,正積極評估新的擴產計劃。若以12吋每月產能1萬片的設備等資本支出來看,需花費300億元以上,旺宏若要大舉擴產,投資金額也將相當可觀。

台系廠商在記憶體產業中出頭天,雖然在主流的DRAM、NAND Flash無法與韓國、日本以及美國大廠競爭,但在NOR Flash、利基型DRAM以及低密度的SLC NAND Flash市場中卻大放異彩,成功殺出自己的一條路,隨著這一波記憶體景氣大幅翻轉激勵下,台系記憶體廠更決定大舉新建廠房擴產,站穩腳步往前衝。

以NOR Flash(編碼型快閃記憶體)為最大產品線的華邦電、旺宏今年接單暢旺,產能供不應求,先前美國德州遇到百年來最大暴風雪,導致同業英飛凌停產,嚴重衝擊車用NOR Flash供應情況,加上先前中芯國際遭到禁制令衝擊,導致在中芯國際投片的兆易創新也無法順利取得產能,讓客戶紛紛將訂單轉移到華邦電、旺宏身上。

另一方面,隨著客戶需求強勁,來自於消費性電子產品、電腦運算、工業、醫療以及車用市場的需求百花齊放,再度激勵NOR Flash迎來久違的漲價趨勢。

除了NOR Flash市況熱絡、供不應求將延續到明年之後,華邦電與旺宏同步鎖定的SLC NAND Flash(單層式快閃記憶體)也開始復甦,市場需求回溫。另一方面,旺宏的唯讀記憶體以任天堂為最大客戶,也看好下半年旺季效應,華邦電的利基型DRAM則是漲勢凌厲,成為產能排擠效應的最大受惠者之一。

華邦電規劃將投入超過3000億元的高雄路竹12吋新廠,原本是希望今年底前投產,但先前受到市況下滑、疫情等影響,建廠進度一度停擺,隨著景氣急遽反轉向上,才又開始趕進度,預計於2022年下半年試營運,首先將導入DRAM的25奈米製程,之後再往20奈米邁進,初期月產能為9千片,滿載時可達2.7 萬片規模,

力積電的苗栗銅鑼廠的情況也跟華邦電很像,雖然早在2018年就宣布建廠計劃,但中間面到景氣波動、資金缺乏等多種因素影響,遲至今年3月底才正式動土,時隔3年,但半導體以及與記憶體的產業景氣已全然不同,市場一片大好,現在變成客戶要求擴產的局面。

力積電規劃投入2780億元建造銅鑼廠,最大月產能為10萬片,製程技術將以1x奈米到50奈米為主,堪稱為成熟製程半導體晶片最大最新的製造基地。力積電將採取OpenFoundry的模式,讓客戶也進來參與投資,掌握晶圓產能。

DRAM廠南亞科看好記憶體產業長期趨勢發展,同時為了持續往先進製程挺進,日前宣布在既有12吋廠所在位置南林科學園區投資3000億元,再蓋1座全新12吋廠,將採取雙層無塵室設計,創下業界首例,未來將開出月產能4.5萬片,最快今年底年動土,2024年試產,預計將直接導入10奈米製程。(楊喻斐/台北報導)

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