記憶體廠南亞科（2408）原訂於5月27日舉行股東常會，受疫情影響而延期。南亞科看好DRAM產業前景，宣佈將砸下3000億元再蓋全新12吋廠，首創雙層無塵室設計，預計2024年量產。展望後市，南亞科總經理李培瑛預估，DRAM將供不應求到今年底，價格將逐漸回升，接下來將投入更多的研發資源，加速開發10 奈米級製程技術與新世代DDR5 的產品，預計DDR5今年下半年開始試產。
南亞科在致股東營業報告書中提到，今年記憶體售價止跌回升，整體產業可望走出谷底並邁向成長，今年將投入更多的研發資源，加速開發10奈米級製程技術與新世代 DDR5 的產品，提升公司競爭力；同時規劃新廠擴建，未來將以符合市場需求為目標，逐步增加產出。
南亞科去年積極佈局自主技術開發，第一代 10 奈米級製程技術(1A)已完成試產線裝機，並配合第1顆 8Gb DDR4 設計完成，進入試產階段，今年下半年開始客戶送樣認證及小量生產；第2顆為下世代DDR5正在設計開發，預計今年下半年開始試產。
另外，南亞科為因應1A 製程技術的量產、新廠房興建及一般部門資本支出，全年的資本支出上限預計為156 億元。
南亞科也表示，第二代10奈米級製程技術(1B)開發功能性驗證晶片已完成試製，預計今年第3季開始試產首顆產品。
南亞科今年仍將持續優化 20 奈米產品組合，除了增加 DDR4 最高規格 3200Mbps 在伺服器及PC OEM客戶的認證，成功導入美國、中國大陸及歐洲資料中心客戶，伺服器記憶體位元出貨量年成長超過 150%，約佔去年全年總出貨量的5%。
南亞科也將加速 20 奈米低功率產品推廣，LPDDR4X 4267Mbps 最高規格產品正在認證中，未來目標市場包括攜帶型產品、汽車及工業等應用，可以有效提高產品價值及銷售彈性。
為了滿足市場要求及公司長遠的發展，南亞科已規劃在目前南林科技園區中興建新的廠房以持續導入先進製程及產品，並擴充產能，新廠預計年底動土，目標於2023年底前完工，2024年開始裝機量產，產能規模將視市場需求分階段設置。
從DRAM產業前景來看，南亞科表示，DRAM是所有電子產品智慧化的關鍵元件，智慧型手機、伺服器/數據中心是目前最大應用區塊；未來，隨著5G及AI的發展，及各種消費型智慧電子產品的發展，將持續帶動DRAM 應用的多元化，以及DRAM使用量增加。
在手機方面，5G手機比重逐年升高，提升搭載量，今年銷售量將倍增。再者，全球5G基站所需的網路通訊及邊緣運算，也提升DRAM使用量。伺服器/資料中心更需提高 DRAM 裝載，以符合 5G 及 AI 高頻寬、低延遲、大量資料的需求。
同時，筆電、平板電腦、電視、SSD 的需求持續強勁，以滿足居家工作、遠距學習、智慧家庭的發展。此外，各種智慧產品如自駕車、遊戲機、智慧攝像、智慧穿戴、智慧機器人等等持續的多元化應用。
以DRAM 供給面觀察，南亞科表示，今年供給成長穩定，維持供需平衡性：根據3大DRAM 供應商的公開資訊中所提供有關產能與資本支出規劃，過去2年各家審慎增加DRAM相關的產出，資本支出保守，所以今年供給成長主要仰賴製程轉換，預計位元供給成長幅度有限。
此外，根據研調機構的分析，中國大陸廠商後續的量產規模仍不致影響整體市場供需平衡。綜合上述供需的結論，今年供應商位元供給的成長幅度預估有限，而5G智慧型手機與資料中心的發展可望使得位元需求有較高的成長幅度，因此整體DRAM產業可望有健康的發展。（楊喻斐/台北報導）
