台積電被超車?三星宣布大規模量產3奈米晶片 為全球首家

出版時間 2022/06/30
三星宣布大規模量產3奈米晶片。資料照片
三星宣布大規模量產3奈米晶片。資料照片

韓聯社報導,三星電子今天表示,已經開始大規模生產3奈米晶片,成為全球第一家量產3奈米的公司。

新一代3奈米晶片的基於尖端半導體製造技術—環繞式柵極(Gate-All-Around,GAA)技術。三星表示,與現有的FinFET製程相比,GAA技術允許晶片的尺寸縮小35%,同時性能提高30%、能耗降低50%。

三星表示,其3奈米晶片的工藝節點已經實現尺寸縮小16%、性能提高23%、能耗降低45%。

財聯社報導,3奈米晶片目前是最先進的晶片製造工藝節點。三星在此節點上搶先,主要目標還是奪取新客戶,希望在代工能力上超越最大競爭對手台積電。台積電之前表示,將在下半年開始大規模生產3奈米晶片。台積電目前是全球晶圓代工龍頭。

根據研調機構TrendForce的資料,今年第1季度台積電佔據全球代工市場的53.5%,其次是三星占16.3%。兩家公司為贏得更多代工晶片的客戶,一直處在激烈競爭中。三星表示,其2奈米製程處於開發的早期階段,計畫將於2025年大規模生產。

2019年,三星公布一項171兆韓元(約1510億美元)的大規模投資計畫,以期到2030年在邏輯晶片和代工領域超越台積電,成為行業領先者。不過分析師表示,雖然三星是存儲晶片市場的領導者,但在更為多元化的代工業務上,台積電的投入超過三星,這使得三星仍難以與之抗衡。

Daol投資證券的分析師Kim Yang-jae表示,「目前只有兩種儲存晶片—DRAM和NAND快閃記憶體,然而非儲存晶片的種類太多了。你可以專注於提高存儲晶片的效率這一件事,但這在一千種不同的非儲存晶片領域,這是行不通的。」

法人指出,事實上台積電先前就曾對外說明3奈米技術延用FinFET(鰭式場效電晶體)原因,包括與客戶的合作,保證產品能如期上市、成本效益等,預計3奈米製程將在下半年正式量產,在2奈米時才會進入到GAA技術製程,時程會在2025年左右。

台積電總裁魏哲家在上季法說會上表示,N3(3奈米製程)將使用FinFET電晶體架構來提供客戶最成熟的技術、最好的效能及最佳的成本,N3時程沒有改變,預計受HPC和智慧型手機應用所驅動,將在2022年下半年量產並具備良好良率。

台積電持續觀察到N3有許多客戶參與,相較於N5及N7,預期首年會有更多新的產品設計定案。而N3E將作為台積電3奈米家族的延伸,具有更好的效能、功耗和良率,同時亦觀察到N3E有許多客戶參與。

N3E的量產時間計劃在N3量產後1年進行,預期台積電N3技術推出時在PPA(效能、功耗及面積)及電晶體技術上,都將會是業界最先進的技術。

法人強調,台積電在建置3奈米廠能時多與客戶達成協議,以符合客戶需求,有多少客戶才會蓋多大的廠,台積電真正量產時也代表客戶已有產品生產中。目前市場傳出台積電3奈米客戶包括有蘋果、聯發科及nVIDIA及AMD等大客戶,三星3奈米則尚未有傳出知名大客戶已下單情況。(財經中心/台北報導)